Компания Samsung первой начала производство 3-нм чипов
Samsung является первым крупным производителем чипов, начавшим выпускать процессоры на основе 3-нанометровой технологии с архитектурой GAAFET (она сменит традиционный FinFET). Массовым изготовлением чипов займутся на территории комплекса Pyeongtaek в Южной Корее, одном из крупнейших в мире заводов по производству полупроводников.
Представители компании заявляют, что 3-нанометровый техпроцесс позволит производить чипы, которые потребляют на 45% меньше энергии, работают на 23% лучше и на 16% меньше по сравнению с 5-нм решениями. Однако эти расчеты относятся к первому поколению процессоров. Второе поколение может увеличить эти результаты на 50, 30 и 35 процентов соответственно. Также ожидается значительный прирост плотности, где, по прогнозам Samsung, на один транзистор будет приходиться примерно на 45% меньше места в кремнии.
Для изготовления новых чипов инженеры Samsung применяют транзисторную архитектуру Gate-All-Around FET. GAA-транзисторы представляют собой модифицированную транзисторную структуру, в которой затвор контактирует с каналом со всех сторон и обеспечивает непрерывное масштабирование. Такие транзисторы называются транзисторами с универсальным затвором. Эта технология (Multi Bridge Channel FET GAA) позволяет размещать транзисторы друг над другом, что позволяет использовать меньше места по сравнению с обычным FinFET.
